EMMI光子微漏電定位分析系統(tǒng)設(shè)備是集成電路失效分析中的重要分析工具，漏電定位對(duì)于失效分析者而言是必備工具。在集成電路行業(yè)中，對(duì)集成電路可靠性要求很高。芯片在工作中，微漏電現(xiàn)象較為普遍，微弱漏電在極端情況下往往會(huì)無限放大，造成芯片甚至整個(gè)控制系統(tǒng)失效，所以芯片微漏電現(xiàn)象是對(duì)于集成電路失效分析中極端重要的一環(huán)。
針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體（如GaN與SiC）器件失效分析，森東寶科技有限公司推出了400nm-1000nm響應(yīng)波長(zhǎng)的EMMI測(cè)試系統(tǒng)，能夠?qū)aN HEMT，GaN LEDs，SiC PDs、SiC pn junction, Si 基MOSFET以及IC芯片等芯片的微安級(jí)漏電位置進(jìn)行精確定位。該系統(tǒng)具有小于1um的空間分辨率，能夠?qū)O微弱的光進(jìn)行成像，已經(jīng)在重慶郵電大學(xué)，廣東金鑒第三方實(shí)驗(yàn)室，江蘇省產(chǎn)業(yè)研究院，普瑞（無錫）研發(fā)中心和江南大學(xué)等科研院所推廣適用，為幾十家半導(dǎo)體公司提供了測(cè)試服務(wù)。
系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
1. 最高量子效率：82%@560 nm
2. 有效分辨率：2048*2048
3. 有效面積：13.312mm*13.312 mm
4. 制冷溫度：10 oC
5. 暗電流： 0.6 electrons/pixel/s
6. 幀速率： 30 Hz
7. 波長(zhǎng)范圍：400nm -1100 nm
8. 界面：USB 3.0
以下是測(cè)試案例：
GaN PDs
GaN LEDs
Si MOSFETs
Si FRD
Si IGBT
