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探針臺(tái)-高低溫真空光電測(cè)試系統(tǒng)

我司于2021年5月在吉林某所成功安裝CINDBEST CGO-4探針臺(tái)-高低溫真空光電測(cè)試系統(tǒng)。該探針臺(tái)變溫范圍77K~473K，溫度穩(wěn)定性?xún)?yōu)于±0.1℃。配三同軸探針臂，漏電流優(yōu)于100fA。配無(wú)油分子泵組，低溫下真空度優(yōu)于5*10-5mbar。主要功能：利用液氦或液氮快速制冷，為光電子材料和器件提供真空和低溫測(cè)試條件。與Keithley 4200半導(dǎo)體特性?xún)x匹配使用，可用于功能材料、拓?fù)浣^緣體、納米結(jié)構(gòu)和器件等變溫測(cè)試，也可以用于半導(dǎo)體器件、MEMS器件、超導(dǎo)器件與封裝前在真空下做原位測(cè)試以及高低溫的老化測(cè)試。

一、測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)原理：

系統(tǒng)功能：用于測(cè)試半導(dǎo)體器件，材料，發(fā)光器件等綜合性能表征系統(tǒng)，可測(cè)試參數(shù)包 括：暗電流、光電流、光電壓（光伏器件）、響應(yīng)速度、光譜響應(yīng)、變光強(qiáng)的 R~P 響應(yīng)等。

系統(tǒng)由光源、探針臺(tái)和光電測(cè)試三部分組成，如圖 1 所示。根據(jù)用戶(hù)需求，三大部分可以進(jìn)行定制化開(kāi)發(fā)，以實(shí)現(xiàn)不同光譜覆蓋范圍、不同測(cè)試環(huán)境和不同測(cè)試功能的實(shí)現(xiàn)。

              圖 1．測(cè)試結(jié)構(gòu)原理

二、配置結(jié)構(gòu)：

2.2 探針臺(tái)可選項(xiàng)： 低溫/常溫/高溫、有背柵/無(wú)背柵、光纖導(dǎo)入/無(wú)光纖、有磁場(chǎng)/無(wú)磁場(chǎng)、真空/非真空 等；

2.3 光電測(cè)試可選項(xiàng)： 輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、暗電流、光電流、光電壓（光伏材料）、光響應(yīng)速度、變光強(qiáng)測(cè)試、 電容、光譜響應(yīng)等；

2.4 光路連接： 真空探針臺(tái)系統(tǒng)光斑尺寸一般為 mm 級(jí)別，可以擴(kuò)大至 cm 級(jí)別；光纖導(dǎo)入真空探針臺(tái)系 統(tǒng)的光斑尺寸由光纖纖徑?jīng)Q定；非真空探針臺(tái)可實(shí)現(xiàn)約 500nm 光斑會(huì)聚（電極由 wirebonding 引出）；

2.5 電路連接+控制反饋： 分為手動(dòng)控制、半自動(dòng)、全自動(dòng)（準(zhǔn)）三種規(guī)格。目前全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)正在開(kāi)發(fā)中。

三、系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

根據(jù)用戶(hù)需求配置不同級(jí)別的光電測(cè)試系統(tǒng)，分為不同型號(hào)，其系統(tǒng)參數(shù)如下：

四、參考用戶(hù)測(cè)試數(shù)據(jù)：

（1） Nanoscale：

                  圖 2， 用戶(hù)測(cè)試數(shù)據(jù)

測(cè)試手段：室溫測(cè)試+真空探針臺(tái)（液氮開(kāi)循環(huán)）+B1500+500W 氙燈+單色儀

（2） Nano Letters：

測(cè)試手段：

室溫測(cè)試+真空探針臺(tái)（液氦閉循環(huán)）+4200+超連續(xù)白光激光器+聲光晶體調(diào)制器

             圖 3，用戶(hù)測(cè)試數(shù)據(jù)參考

（3） ACS Nano（under review）：論文未發(fā)表

              圖 5. 實(shí)驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)外觀圖

森東寶致力為客戶(hù)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體測(cè)試解決方案，森東寶，全球知名的先進(jìn)晶圓探針臺(tái)制造商。